Samodzielna Pracownia Elektronolitografii

Elektronolitografia i nanoimprint

PRACOWNIA OFERUJE

• BEZPOŚREDNIĄ GENERACJĘ WZORÓW E-BEAM na płytkach półprzewodnikowych oraz optycznych (np. Si, Ge, GaAs, InP, SiC, kwarc),
rozmiary podłoży od Ø 50 mm do Ø 150 mm (SEMI Standard), dokładność centrowania < 15 nm;
• MASKI CHROMOWE dla fotolitografii kontaktowej oraz projekcyjnej;
rozmiary podłoży od 4” x 4” do 7” x 7”, siatka adresowania 1 nm, dokładność pasowania maski do maski < 5 nm;
• DYFRAKCYJNE ELEMENTY OPTYCZNE o profilu binarnym i wielopoziomowym, m.in:
o dyfrakcyjne mikrosoczewki i macierze mikrosoczewek (sferyczne, cylindryczne, eliptyczne itd.),
o elementy kształtujące i koncentrujące wiązki laserowe (również dla diod paskowych),
o siatki dyfrakcyjne, kinoformowe filtry próbkujące,
o hologramy.
• MASKI FAZOWE DLA ŚWIATŁOWODOWYCH SIATEK BRAGGA
o binarne i apodyzowane wielopoziomowe maski na podłożu kwarcowym.
• WZORCE I STEMPLE ROBOCZE do procesów NANO IMPRINT
rozmiary podłoży od Ø 50 mm do Ø 100 mm, min. szerokość linii (rozdzielczość) 50 nm.
• LITOGRAFIA UV NANO IMPRINT na płytkach półprzewodnikowych, szklanych i polimerowych,
technologia: kopiowanie wzoru w rezystach utwardzanych promieniowaniem UV, obustronne centrowanie wzoru, rozdzielczość 50 nm, rozmiary podłoży od Ø 50 mm do Ø 100 mm.
• LITOGRAFIA HOT EMBOSSING NANO IMPRINT do powielania struktur binarnych oraz 3D,
technologia: kopiowanie struktur w warstwie rezystu termoutwardzalnego lub w termoplastycznym podłożu polimerowym, rozdzielczość 50 nm, rozmiary podłoży od Ø 50 mm do Ø 100 mm.