Zakład Grafenu i Materiałów dla Elektroniki

Zakład Grafenu i Materiałów dla Elektroniki

W Zakładzie Grafenu i Materiałów dla Elektroniki prowadzi się prace związane ze wzrostem struktur epitaksjalnych stosowanych w przemyśle elektronicznym. Działalność zakładu koncentruje się na badaniach nad epitaksjalnymi strukturami związków półprzewodnikowych III-V i IV-IV dla zastosowań elektronicznych oraz wysokiej jakości grafenu na SiC, Ge, podłożach metalicznych oraz nad transferem technologii do przemysłu. W zespole jest 25 specjalistów, w tym naukowcy z tytułami profesora i doktora, doktoranci i technolodzy z ogromnym doświadczeniem w dziedzinach fizyki półprzewodników, epitaksji związków półprzewodnikowych i ich charakteryzacji. Członkowie zespołu aktywnie uczestniczą w wielu programach badawczych, a uzyskiwane rezultaty są wykorzystywane z sukcesem w technologii wytwarzania materiałów i przyrządów półprzewodnikowych.

Zakład jest wyposażony w aparaturę do charakteryzacji materiałów półprzewodnikowych, grafenu i nowych materiałów 2D następującymi metodami: mikroskopia optyczna, optyczna profilometria, mikroskopia elektronowa, mikroskopia sił atomowych, fotoluminescencja, elipsometria, spektroskopia Ramana, spektroskopia masowa jonów wtórnych, efekt Halla, metoda napięciowo-pojemnościowa, pomiary mikrofalowe, spektroskopia fotoelektronów. Naukowcy z tego zakładu współpracują z wieloma czołowymi ośrodkami badawczymi i akademickimi w kraju i za granicą w obszarze fizyki ciała stałego, technologii elektronowej, elektroniki i inżynierii materiałowej.

Oferta

Zakład wytwarza struktury epitaksjalne związków półprzewodnikowych A3B5 pochodnych InP, GaAs, GaN oraz grupy IV - SiC. Oferowane płytki epitaksjalne o średnicy 2" i 3", a w przypadku SiC - 4" obejmują praktycznie wszystkie zastosowania nowoczesnej elektroniki - lasery półprzewodnikowe, w tym lasery z pionową wnęką rezonansową (VCSELs), kwantowe lasery kaskadowe (QCLs), fotodetektory w szerokim zakresie spektralnym, diody elektroluminescencyjne, tranzystory polowe i tranzystory z dwu-wymiarowym gazem elektronowym, wzmacniacze optyczne, diody Schottky i wiele innych. Wzrost epitaksjalny związków półprzewodnikowych dwu-, trój-, cztero- i pięcio-składnikowych realizowany jest metodą epitaksji MOCVD przy wykorzystaniu profesjonalnych urządzeń technologicznych. Zakład dysponuje także technologią CVD wytwarzania wielkoformatowego grafenu - dwu-wymiarowej formy węgla na różnych podłożach (miedź, węglik krzemu, nikiel, german, itp), a także technologią pokrywania grafenem podłoży obcych. Wyposażenie zakładu uzupełniają nowoczesne urządzenia do charakteryzacji materiałów metodami: SEM, XPS, PL, Hall, C-V, X-ray i inne. Zakład, o potwierdzonej od lat renomie, dostarcza swoje produkty do znanych firm elektronicznych i ośrodków akademickich na całym świecie.

Technologia przyrządów półprzewodnikowych

Zakład oferuje produkty i technologie półprzewodnikowe:

  • technologia tranzystora MESFET na GaAs, wykorzystująca bezpośrednią implantację jonów do kryształu półizolacyjnego,
  • układy scalone na GaAs w układach BFL,
  • detektory promieniowania X, α i γ (GaAs),
  • tranzystory HEMT oraz rezonansowe diody tunelowe (RTD) z GaAs/InGaAs/AlGaAs,
  • tranzystory HEMT oraz rezonansowe diody tunelowe (RTD) z InP/InGaAs/InAlAs,
  • bolometry i elementy termoczułe wykonane metodą mikromechaniki krzemowej,
  • detektory UV oparte na diodach Schottky’ego GaN/AlGaN oraz diodach p-i-n,
  • tranzystory HEMT z GaN/AlGaN,
  • wysokonapięciowe diody Schottky’ego na SiC,
  • technologię wytwarzania laserów SCH (separate confinement heterostructure).

Osiągnięcia

Zakład realizuje ponad dziesięć projektów badawczych, w tym cztery europejskie i jeden międzynarodowy. Jest uczestnikiem największego programu finansowanego przez Komisję Europejską - Graphene Flagship. Od wielu lat, skutecznie realizuje własny program transferu rezultatów badawczych do produkcji komercyjnej. Współpracuje z wieloma ośrodkami naukowymi i przemysłowymi na całym świecie.

Kontakt

dr inż. Tymoteusz Ciuk
Kierownik Zakładu
(+48 22) 639 59 41
tymoteusz.ciuk@itme.edu.pl

Ta strona stosuje ciasteczka (cookies) w celach statystycznych.
Jeśli nie chcesz, aby pliki cookies były zapisywane na Twoim urządzeniu, zmień ustawienia przeglądarki.
Link do Polityki Prywatności